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SF6高压电器设计_第4版.pdf
北京:机械工业出版社, Di 4 ban, Bei jing, 2015
中文 [zh] · PDF · 32.1MB · 2015 · 📘 非小说类图书 · 🚀/duxiu/lgli/upload/zlib · Save
描述
本书介绍了SF6气体的理化电气特性和SF6气体管理方面的研究成果, 总结了SF6高压电器的结构设计经验及设计计算方法等
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备选标题
SF6高压电器设计 第4版
备选作者
黎斌, (19395- )
备选作者
黎斌著
备选作者
作者
备用出版商
Stationery Office Books
备用出版商
The Stationery Office
备用出版商
China Machine Press
备用版本
United Kingdom and Ireland, United Kingdom
备用版本
China, People's Republic, China
元数据中的注释
producers:
生产者
生产者
元数据中的注释
Bookmarks: p1 (p1): 第1章 SF6的基本特性
p1-1 (p1): 1.1 SF6的物理性能
p1-2 (p2): 1.2 SF6的气体状态参数
p1-3 (p3): 1.3 SF6的化学性能
p1-3-1 (p3): 1.3.1 SF6具有良好的热稳定性
p1-3-2 (p4): 1.3.2 SF6电弧分解过程
p1-3-3 (p4): 1.3.3 SF6与开关灭弧室材料的化学反应
p1-3-4 (p4): 1.3.4 水和氧等杂质产生酸性有害物质
p1-3-5 (p5): 1.3.5 SF6电弧分解物中有剧毒的S2 F10吗?
p1-4 (p5): 1.4 SF6的绝缘特性
p1-4-1 (p5): 1.4.1 SF6气体间隙的绝缘特性
p1-4-2 (p11): 1.4.2 SF6中绝缘子的沿面放电特性
p1-4-3 (p13): 1.4.3 减小金属微粒危害的措施
p1-5 (p15): 1.5 SF6气体的熄弧特性
p1-5-1 (p15): 1.5.1 SF6气体特性创造了良好的熄弧条件
p1-5-2 (p17): 1.5.2 SF6中的气流特性
p2 (p20): 第2章 SF6电器的气体管理
p2-1 (p20): 2.1 SF6气体的杂质管理
p2-1-1 (p20): 2.1.1 SF6气体的毒性
p2-1-2 (p20): 2.1.2 生物试验方法
p2-1-3 (p21): 2.1.3 电弧分解气体的毒性及处理
p2-2 (p23): 2.2 SF6气体的湿度管理
p2-2-1 (p23): 2.2.1 水分进入开关的途径
p2-2-2 (p23): 2.2.2 水分对开关性能的影响
p2-2-3 (p25): 2.2.3 温度对SF6湿度测量值的影响
p2-2-4 (p28): 2.2.4 SF6湿度测量值的温度折算
p2-2-5 (p28): 2.2.5 用相对湿度标定湿度限值科学准确
p2-2-6 (p30): 2.2.6 SF6湿度限值
p2-2-7 (p30): 2.2.7 SF6湿度测量方法
p2-2-8 (p31): 2.2.8 SF6湿度控制方法
p2-2-9 (p32): 2.2.9 运行开关的水分处理
p2-3 (p32): 2.3 SF6气体的密封管理
p2-3-1 (p32): 2.3.1 SF6开关设备的密封结构
p2-3-2 (p32): 2.3.2 密封环节的清擦与装配
p2-3-3 (p32): 2.3.3 工程适用的检漏方法(真空监视、肥皂泡监视、充SF6及充He检漏)
p2-3-4 (p37): 2.3.4 SF6密度的监控及误差分析
p2-4 (p41): 附录2.A SF6湿度测量值的温度折算表
p2-5 (p46): 附录2.B 充SF6检漏一个密封环节允许漏气浓度增量ΔC及单点允许漏气率F吸的计算
p2-6 (p48): 附录2.C 充氦检漏允许泄漏率计算
p3 (p49): 第3章 GCB/GIS总体设计
p3-1 (p49): 3.1 设计思想的更新
p3-2 (p49): 3.2 简单就是可靠、简单就是效益
p3-3 (p50): 3.3 GCB/GIS总体设计的核心
p3-4 (p50): 3.4 GCB/GIS总体结构设计要求
p3-4-1 (p50): 3.4.1 GCB灭弧室及操动机构的选择
p3-4-2 (p51): 3.4.2 罐式与瓷柱式GCB的合理分工
p3-4-3 (p51): 3.4.3 高低档参数有机搭配
p3-4-4 (p52): 3.4.4 结构整体化设计
p3-4-5 (p52): 3.4.5 环境因素的影响
p3-5 (p53): 3.5 GCB/GIS可靠性的验证试验
p3-5-1 (p53): 3.5.1 电寿命试验
p3-5-2 (p53): 3.5.2 机械强度试验
p3-5-3 (p53): 3.5.3 高低温环境下的操作试验
p3-5-4 (p53): 3.5.4 耐风沙、暴雨、冰雪及污秽试验
p4 (p54): 第4章 T·GCB/GIS出线套管设计
p4-1 (p54): 4.1 40.5~145kV出线套管内绝缘设计
p4-1-1 (p54): 4.1.1 中心导体设计
p4-1-2 (p55): 4.1.2 允许雷电冲击场强值E1的选择
p4-2 (p56): 4.2 252-363kV出线套管内绝缘设计
p4-3 (p57): 4.3 550~1100kV出线套管内绝缘设计
p4-3-1 (p57): 4.3.1 中间电位内屏蔽的作用
p4-3-2 (p58): 4.3.2 中间电位内屏蔽的设计
p4-3-3 (p59): 4.3.3 中间电位及接地屏蔽设计尺寸的验算
p4-3-4 (p60): 4.3.4 中间屏蔽支持绝缘子设计
p4-4 (p60): 4.4 套管外绝缘设计
p4-4-1 (p60): 4.4.1 瓷件基本尺寸及耐受电压的计算
p4-4-2 (p62): 4.4.2 高海拔、防污秽型瓷套设计
p4-4-3 (p62): 4.4.3 瓷套外屏蔽设计
p4-5 (p64): 4.5 瓷套机械强度设计
p4-5-1 (p64): 4.5.1 瓷套法兰胶装比
p4-5-2 (p64): 4.5.2 瓷质与工艺
p4-5-3 (p65): 4.5.3 瓷套内水压与抗弯强度设计
p4-6 (p66): 4.6 550kV SF6电流互感器支持套管中间电位屏蔽设计实例
p4-6-1 (p66): 4.6.1 中间电位屏蔽尺寸的优化设计
p4-6-2 (p67): 4.6.2 中间电位屏蔽的加工工艺方案设计
p5 (p69): 第5章 硅橡胶复合绝缘子的特点和设计
p5-1 (p69): 5.1 复合绝缘子的特点和应用
p5-2 (p70): 5.2 伞裙材料的选用
p5-3 (p71): 5.3 绝缘子芯体(筒、棒)材料的选择
p5-4 (p72): 5.4 复合绝缘子设计的四点要求
p5-4-1 (p73): 5.4.1 机械强度设计要求
p5-4-2 (p74): 5.4.2 刚度设计要求
p5-4-3 (p74): 5.4.3 电气性能设计要求
p5-4-4 (p75): 5.4.4 胶装及密封设计要求
p5-5 (p76): 5.5 复合绝缘子长期运行的可靠性
p5-5-1 (p76): 5.5.1 绝缘子表面亲(疏)水性与污闪
p5-5-2 (p76): 5.5.2 硅橡胶疏水性的迁移与运行可靠性
p5-5-3 (p76): 5.5.3 HTV硅橡胶的高能硅氧键与运行可靠性
p5-5-4 (p77): 5.5.4 抗电蚀能力与运行可靠性
p5-5-5 (p77): 5.5.5 硅橡胶护套及伞裙组装工艺设计与运行可靠性
p5-5-6 (p78): 5.5.6 水分入侵芯体对复合绝缘子机械强度的影响
p6 (p79): 第6章 SF6电器绝缘结构设计——气体间隙、环氧树脂浇注件、真空浸渍管(筒)件
p6-1 (p79): 6.1 SF6气隙绝缘结构设计
p6-1-1 (p79): 6.1.1 气隙电场设计基准
p6-1-2 (p79): 6.1.2 SF6气隙中电极优化设计
p6-2 (p81): 6.2 环氧树脂浇注件设计
p6-2-1 (p82): 6.2.1 绝缘件电场设计基准
p6-2-2 (p82): 6.2.2 典型的绝缘筒(棒)结构设计
p6-2-3 (p84): 6.2.3 绝缘筒(棒)机械强度设计
p6-2-4 (p86): 6.2.4 盆式绝缘子设计10个要点
p6-2-5 (p96): 6.2.5 盆式绝缘子强度要求
p6-3 (p96): 6.3 真空浸渍环氧玻璃丝管(筒)设计
p6-3-1 (p96): 6.3.1 真空浸渍管(筒)性能
p6-3-2 (p97): 6.3.2 真空浸渍管(筒)绝缘件电气结构设计
p6-3-3 (p99): 6.3.3 真空浸渍管(筒)绝缘件机械强度设计
p7 (p101): 第7章 合闸电阻及并联电容器设计
p7-1 (p101): 7.1 合闸电阻额定参数的选择
p7-1-1 (p101): 7.1.1 电阻值R
p7-1-2 (p102): 7.1.2 电阻投入时间t
p7-1-3 (p102): 7.1.3 电压负荷
p7-1-4 (p102): 7.1.4 电阻两次投入的时差Δt
p7-2 (p102): 7.2 电阻片的特性参数
p7-3 (p103): 7.3 合闸电阻设计计算
p7-3-1 (p103): 7.3.1 设计步骤
p7-3-2 (p103): 7.3.2 计算实例(一)
p7-3-3 (p105): 7.3.3 计算实例(二)
p7-4 (p106): 7.4 合闸电阻的触头及传动装置设计
p7-4-1 (p106): 7.4.1 合闸电阻投切动作原理
p7-4-2 (p107): 7.4.2 电阻片安装方式设计
p7-4-3 (p108): 7.4.3 电阻触头及分合闸速度设计
p7-5 (p110): 7.5 并联电容器设计
p7-5-1 (p110): 7.5.1 并联电容器容量设计(800kV双断口串联T·GCB计算例)
p7-5-2 (p111): 7.5.2 电容元件及电容器参数选择
p7-5-3 (p112): 7.5.3 电容器组的结构设计
p8 (p113): 第8章 GCB/GIS的电接触和温升
p8-1 (p113): 8.1 接触电阻
p8-2 (p114): 8.2 梅花触头设计
p8-2-1 (p114): 8.2.1 动触头设计
p8-2-2 (p114): 8.2.2 触头弹簧圈向心力计算
p8-2-3 (p115): 8.2.3 触片设计
p8-2-4 (p115): 8.2.4 触指电动稳定性设计
p8-2-5 (p116): 8.2.5 触指热稳定性设计
p8-3 (p117): 8.3 自力型触头设计
p8-3-1 (p117): 8.3.1 导电截面及触指数设计
p8-3-2 (p117): 8.3.2 接触压力计算
p8-3-3 (p118): 8.3.3 触头材料及许用变形应力
p8-3-4 (p118): 8.3.4 旋压成形插入式触头(自力型触头的进化)
p8-3-5 (p118): 8.3.5 铜钨触头及其质量控制
p8-4 (p119): 8.4 表带触头的设计与制造工艺
p8-4-1 (p119): 8.4.1 表带触头的特点
p8-4-2 (p119): 8.4.2 表带触头的设计
p8-4-3 (p120): 8.4.3 表带触头的材料、制作工艺及表面处理
p8-4-4 (p120): 8.4.4 电动稳定性与热稳定性核算
p8-5 (p121): 8.5 螺旋弹簧触头设计
p8-5-1 (p121): 8.5.1 螺旋弹簧触头的特点
p8-5-2 (p121): 8.5.2 螺旋弹簧触头及弹簧槽设计
p8-5-3 (p125): 8.5.3 触头通流能力核算
p8-5-4 (p125): 8.5.4 接触压力、接触电阻与热稳定性核算
p8-5-5 (p126): 8.5.5 单圈接触压力的测试值
p8-5-6 (p127): 8.5.6 单圈接触电阻的测试值
p8-5-7 (p128): 8.5.7 弹簧触头焊点强度分析及焊点结构设计
p8-5-8 (p130): 8.5.8 弹簧触头不能用于隔离开关主触头
p8-5-9 (p130): 8.5.9 铜丝线径d0的选择
p8-5-10 (p130): 8.5.10 弹簧触头安放位置的选择
p8-5-11 (p130): 8.5.11 弹簧触头接触电阻的稳定性
p8-5-12 (p132): 8.5.12 弹簧触头的选用和表面处理
p8-6 (p132): 8.6 导体发热与温升计算
p9 (p135): 第9章 GCB灭弧室数学计算模型的设计与估算
p9-1 (p135): 9.1 平均分闸速度υf的设计
p9-2 (p137): 9.2 触头开距ιk及全行程ι0设计
p9-3 (p137): 9.3 喷嘴设计
p9-3-1 (p138): 9.3.1 上游区设计
p9-3-2 (p139): 9.3.2 喉颈部设计
p9-3-3 (p142): 9.3.3 下游区设计
p9-3-4 (p143): 9.3.4 喷嘴材料
p9-4 (p144): 9.4 气缸直径的初步设计
p9-4-1 (p144): 9.4.1 气缸直径Dc与机构操作力F
p9-4-2 (p145): 9.4.2 气缸直径Dc的经验设计值
p9-5 (p146): 9.5 分闸特性及其与喷嘴的配合
p9-5-1 (p146): 9.5.1 分闸初期应有较大的加速度
p9-5-2 (p147): 9.5.2 分闸速度对自能式灭弧室开断性能的影响
p9-5-3 (p147): 9.5.3 分闸后期应有平缓的缓冲特性
p9-5-4 (p147): 9.5.4 分闸特性与喷嘴的配合
p9-5-5 (p147): 9.5.5 调整分、合闸速度特性的方法
p9-6 (p148): 9.6 缓和断口电场的屏蔽设计
p9-7 (p148): 9.7 双气室自能式灭弧室的发展
p9-7-1 (p148): 9.7.1 40.5~145 kV自能式灭弧室逐步完善稳定
p9-7-2 (p149): 9.7.2 触头双动灭弧室的产生
p9-7-3 (p149): 9.7.3 双动双气室灭弧室设计要点
p9-7-4 (p150): 9.7.4 对双气室和单气室灭弧室的评价
p9-8 (p151): 9.8 近似量化类比分析法在灭弧室设计中的应用
p9-8-1 (p151): 9.8.1 252kV、40kA灭弧室开断试验结果分析与改进
p9-8-2 (p154): 9.8.2 252kV、50kA单气室自能式灭弧室的增容设计
p9-8-3 (p155): 9.8.3 800kV灭弧室设计要领
p9-8-4 (p156): 9.8.4 特高压GCB灭弧室设计思路
p9-9 (p158): 9.9 机构操作功及传动系统强度计算
p9-9-1 (p158): 9.9.1 运动件等效质量计算
p9-9-2 (p160): 9.9.2 机构操作功计算
p9-9-3 (p162): 9.9.3 弹簧机构的分、合闸弹簧设计
p9-9-4 (p162): 9.9.4 液压机构储能碟簧设计
p9-9-5 (p165): 9.9.5 开关操作系统强度计算
p10 (p167): 第10章 密封结构设计
p10-1 (p167): 10.1 密封机理
p10-2 (p167): 10.2 影响SF6电器泄漏量的因素
p10-3 (p170): 10.3 O形密封圈和密封槽的设计
p10-3-1 (p170): 10.3.1 O形密封圈直径(外径D)与线径d0的配合
p10-3-2 (p170): 10.3.2 密封圈材质的选用
p10-3-3 (p172): 10.3.3 密封圈表面要求
p10-3-4 (p172): 10.3.4 密封槽尺寸设计
p10-4 (p173): 10.4 SF6动密封设计
p10-4-1 (p173): 10.4.1 转动密封唇形橡胶圈设计
p10-4-2 (p173): 10.4.2 X形动密封圈设计
p10-4-3 (p175): 10.4.3 矩形密封圈直动密封设计
p10-5 (p175): 10.5 密封部位的防水防腐蚀设计
p11 (p178): 第11章 GIS中的DS、ES和母线设计
p11-1 (p178): 11.1 三工位隔离开关的基本结构
p11-2 (p179): 11.2 DS及ES断口开距设计
p11-3 (p180): 11.3 DS断口触头屏蔽设计
p11-4 (p181): 11.4 DS分合闸速度设计
p11-5 (p181): 11.5 1100kV GIS—DS、ES设计的特殊问题
p11-6 (p183): 11.6 快速接地开关设计
p11-7 (p184): 11.7 GIS母线设计
p11-7-1 (p185): 11.7.1 波纹管设计
p11-7-2 (p186): 11.7.2 可拆卸母线外壳设计
p11-7-3 (p186): 11.7.3 绝缘支持件设计
p12 (p188): 第12章 SF6电器壳体设计
p12-1 (p188): 12.1 壳体电气性能要求
p12-2 (p188): 12.2 壳体材质及加工工艺选择
p12-3 (p189): 12.3 壳体电气尺寸设计
p12-4 (p189): 12.4 焊接壳体设计与计算
p12-4-1 (p189): 12.4.1 焊接壳体强度设计因素
p12-4-2 (p190): 12.4.2 焊接壳体壁厚设计
p12-4-3 (p191): 12.4.3 焊接圆筒端盖(法兰)及盖板厚度设计
p12-4-4 (p191): 12.4.4 焊接圆筒端部封头强度设计
p12-4-5 (p191): 12.4.5 焊接结构及焊缝位置设计
p12-5 (p193): 12.5 铸铝壳体设计与计算
p12-5-1 (p193): 12.5.1 铸铝壳体强度设计因素
p12-5-2 (p193): 12.5.2 铸造壳体厚度设计
p12-6 (p195): 12.6 壳体耐电弧烧蚀能力设计
p12-7 (p195): 12.7 壳体加工质量监控设计
p12-7-1 (p195): 12.7.1 壳体强度监控
p12-7-2 (p195): 12.7.2 焊缝气密性监控
p12-7-3 (p195): 12.7.3 铸件壳体气密性监控
p12-8 (p196): 12.8 壳体制造的质量管理
p13 (p197): 第13章 吸附剂及爆破片设计
p13-1 (p197): 13.1 吸附剂设计
p13-1-1 (p197): 13.1.1 F—03吸附剂性能简介
p13-1-2 (p197): 13.1.2 F—03吸附剂活化处理
p13-1-3 (p198): 13.1.3 吸附剂用量设计
p13-2 (p199): 13.2 爆破片设计
p13-2-1 (p199): 13.2.1 爆破片的选型与安装
p13-2-2 (p199): 13.2.2 爆破压力设计
p13-2-3 (p199): 13.2.3 压力泄放口径设计
p14 (p200): 第14章 环温对SF6电器设计的影响
p14-1 (p200): 14.1 日照对SF6电器及户外隔离开关温升的影响
p14-1-1 (p200): 14.1.1 考虑方法
p14-1-2 (p200): 14.1.2 日照温升试验
p14-1-3 (p200): 14.1.3 试验值分析
p14-1-4 (p201): 14.1.4 结论
p14-2 (p202): 14.2 高寒地区产品的设计与应用
p14-2-1 (p202): 14.2.1 降低额定参数使用
p14-2-2 (p203): 14.2.2 开关充SF6+N2混合气体
p14-2-3 (p206): 14.2.3 (SF6+CF4)混合气体的应用
p14-2-4 (p207): 14.2.4 经济实用的低温产品设计方案——加热保温套设计
p14-2-5 (p209): 14.2.5 高寒地区(-40/-50℃)产品的选择
p15 (p210): 第15章 SF6电流互感器绕组设计
p15-1 (p210): 15.1 CT误差及准确级
p15-1-1 (p210): 15.1.1 CT误差的产生
p15-1-2 (p212): 15.1.2 CT准确级
p15-2 (p213): 15.2 影响CT电流误差的因素
p15-2-1 (p213): 15.2.1 一次电流的影响
p15-2-2 (p213): 15.2.2 二次绕组匝数N2的影响
p15-2-3 (p213): 15.2.3 平均磁路长度ιcp的影响
p15-2-4 (p213): 15.2.4 铁心截面积S的影响
p15-2-5 (p213): 15.2.5 铁心材料的影响
p15-2-6 (p214): 15.2.6 二次负荷的影响
p15-2-7 (p214): 15.2.7 绕组阻抗ZcT的影响
p15-3 (p214): 15.3 测量级和保护级绕组设计及误差计算步骤
p15-3-1 (p214): 15.3.1 绕组及铁心内径设计
p15-3-2 (p214): 15.3.2 铁心设计
p15-3-3 (p215): 15.3.3 确定绕组的结构及阻抗
p15-3-4 (p216): 15.3.4 测量级绕组误差计算步骤
p15-3-5 (p217): 15.3.5 稳态保护级(5P、10P)绕组误差计算步骤
p15-4 (p217): 15.4 0.2 级和5P级CT绕组设计及误差计算示例
p15-4-1 (p217): 15.4.1 0.2级、FS5、126kV、2×300/5A、30VA绕组设计及误差计算(第一方案)
p15-4-2 (p219): 15.4.2 0.2级、FS5、126kV、2×300/5A、30VA绕组改进设计及误差计算(第二方案)
p15-4-3 (p220): 15.4.3 252kV、5P25、2×300/5A、50VA绕组设计及误差计算
p15-5 (p222): 15.5 暂态保护特性绕组的基本特性参数
p15-5-1 (p222): 15.5.1 设计暂态保护特性绕组的原始数据
p15-5-2 (p223): 15.5.2 额定二次回路时间常数T2
p15-5-3 (p223): 15.5.3 额定瞬变面积系数Ktf
p15-5-4 (p223): 15.5.4 铁心剩磁系数Ksc
p15-5-5 (p223): 15.5.5 暂态特性CT绕组的分级
p15-6 (p224): 15.6 暂态磁通密度增大系数Ktd与暂态误差ε
p15-6-1 (p224): 15.6.1 CT铁心未饱和时的暂态过程
p15-6-2 (p225): 15.6.2 CT暂态面积系数Kd
p15-6-3 (p226): 15.6.3 暂态误差计算式
p15-7 (p227): 15.7 暂态特性绕组设计计算步骤和计算示例
p15-7-1 (p227): 15.7.1 TPY绕组计算步骤
p15-7-2 (p228): 15.7.2 550kV、1250/1A、10VA、TPY绕组计算示例
p15-7-3 (p230): 15.7.3 550kV、2500/1A、15VA、TPY绕组计算示例
p15-8 (p231): 15.8 铁心饱和及其对暂态绕组工作特性的影响
p15-9 (p232): 15.9 影响CT暂态特性的因素及其改善措施
p15-10 (p234): 15.10 CT罩与CT线圈屏蔽设计
p15-11 (p234): 附录15.A SMC101等合金磁化曲线图
p16 (p242): 第16章 GIS设计标准化
p16-1 (p242): 16.1 GIS设计非标准化的弊病
p16-2 (p242): 16.2 GIS设计标准化的重要意义
p16-3 (p242): 16.3 GIS结构设计标准化
p16-3-1 (p243): 16.3.1 GIS基本元件标准化
p16-3-2 (p243): 16.3.2 GIS基本接线间隔标准化的主要要求
p16-3-3 (p243): 16.3.3 126kV GIS标准化的基本接线间隔
p16-3-4 (p248): 16.3.4 252 kV GIS标准化的基本接线间隔
p16-3-5 (p252): 16.3.5 与各标准间隔对应的GIS主回路联结件及其内导标准化
p16-3-6 (p252): 16.3.6 与各标准间隔对应的辅件标准化
p16-3-7 (p252): 16.3.7 与各标准间隔对应的就地控制柜及气体监控柜的标准化
p16-3-8 (p252): 16.3.8 GIS与电缆接口件标准化
p16-3-9 (p255): 16.3.9 GIS与变压器接口件标准化
p16-4 (p257): 16.4 GIS图样和设计文件的标准化及分类管理
p16-4-1 (p257): 16.4.1 GIS图样的标准化设计及管理
p16-4-2 (p258): 16.4.2 GIS基本间隔气体系统图的标准化设计
p16-4-3 (p258): 16.4.3 GIS基本单元的配套表(MX表)及各种汇总表的标准化
p16-4-4 (p258): 16.4.4 GIS基本间隔的配套表及各种汇总表的标准化
p16-4-5 (p259): 16.4.5 GIS工程设计通知书
p16-4-6 (p259): 16.4.6 GIS通用设计文件的标准化
p17 (p260): 第17章 GIS小型化和智能化设计(在线监测技术及应用)
p17-1 (p260): 17.1 一次元件小型化
p17-2 (p263): 17.2 二次监控智能化的目的与构成
p17-3 (p263): 17.3 开发可靠性高、寿命长的信息传感器
p17-3-1 (p263): 17.3.1 电流传感器
p17-3-2 (p265): 17.3.2 电压传感器
p17-3-3 (p268): 17.3.3 分合位置传感器
p17-3-4 (p268): 17.3.4 分合速度传感器
p17-3-5 (p268): 17.3.5 弹簧储能传感器
p17-3-6 (p269): 17.3.6 SF6气体密度及低湿度传感器
p17-3-7 (p270): 17.3.7 温度、湿度传感器
p17-3-8 (p270): 17.3.8 故障定位传感器
p17-3-9 (p270): 17.3.9 压力传感器
p17-3-10 (p270): 17.3.10 氧化锌避雷器(MOA)泄漏电流传感器
p17-3-11 (p270): 17.3.11 局部放电传感器
p17-4 (p272): 17.4 PISA和光纤传输技术
p17-5 (p272): 17.5 智能化就地控制柜和保护单元
p17-5-1 (p272): 17.5.1 智能化就地控制柜和保护单元的构成
p17-5-2 (p272): 17.5.2 电站二次系统的更新与简化
p17-6 (p273): 17.6 GIS运行状态分析软件及按运行状态维修GIS
p17-6-1 (p273): 17.6.1 GIS运行状态巡检仪
p17-6-2 (p273): 17.6.2 局部放电分析软件
p17-6-3 (p277): 17.6.3 电寿命分析软件(电寿命折算及在线监测技术)
p17-6-4 (p281): 17.6.4 SF6密度及湿度分析软件
p17-7 (p282): 17.7 GCB智能操作
p18 (p284): 第18章 超高频(UHF)局部放电电磁波的辐射、传输与接收
p18-1 (p284): 18.1 超高频(UHF)局部放电电磁波的特征
p18-1-1 (p284): 18.1.1 GIS局部放电电磁波的频率与波长
p18-1-2 (p284): 18.1.2 采用UHF法检测GIS局放的必要性
p18-2 (p284): 18.2 GIS超高频局放电磁波的种类及特征
p18-3 (p285): 18.3 GIS局放电磁波的辐射与传播
p18-3-1 (p285): 18.3.1 电磁波辐射
p18-3-2 (p286): 18.3.2 电磁波发射
p18-3-3 (p286): 18.3.3 GIS中局放电磁波的传播方式
p18-3-4 (p289): 18.3.4 局放电磁波传输的三种工况
p18-3-5 (p291): 18.3.5 GIS中局放电磁波的传输特点
p18-3-6 (p291): 18.3.6 微波传输中的阻抗匹配
p18-4 (p292): 18.4 UHF局放电磁波的接收
p18-4-1 (p292): 18.4.1 局放信号的两种接收方式——电容耦合与电磁感应
p18-4-2 (p294): 18.4.2 接收天线的效率和增益
p18-4-3 (p295): 18.4.3 传感器的相对输出功率
p18-4-4 (p295): 18.4.4 传感器的特性
p18-5 (p297): 18.5 外部干扰的抑制
p18-6 (p298): 18.6 局放源定位
p18-6-1 (p298): 18.6.1 信号幅值定位
p18-6-2 (p298): 18.6.2 信号时差定位
p18-6-3 (p298): 18.6.3 平分面法定位
p18-7 (p299): 18.7 内置式传感器的研究方向
p18-7-1 (p299): 18.7.1 圆盘形电容耦合传感器
p18-7-2 (p301): 18.7.2 偶极天线
p18-8 (p302): 18.8 外置式传感器的研究方向
p18-8-1 (p302): 18.8.1 缝隙传感器的设计
p18-8-2 (p304): 18.8.2 矩形喇叭传感器的设计
p18-8-3 (p305): 18.8.3 平面等角螺旋天线
p18-9 (p306): 18.9 传感器的馈电与阻抗匹配
p18-9-1 (p306): 18.9.1 传感器的馈电
p18-9-2 (p307): 18.9.2 接头
p18-9-3 (p307): 18.9.3 输入阻抗与负载阻抗的匹配
p18-10 (p307): 18.10 超高频法局放诊断系统
p18-11 (p308): 18.11 GIS局放定期检测与全时在线监测
p19 (p309): 第19章 SF6复合电器H·GIS的特点、应用与发展
p19-1 (p309): 19.1 H·GIS及PASS的定义和结构特征
p19-1-1 (p309): 19.1.1 H·GIS
p19-1-2 (p312): 19.1.2 PASS
p19-2 (p315): 19.2 AIS、GIS、H·GIS及PASS的特点分析
p19-2-1 (p315): 19.2.1 结构和功能对比
p19-2-2 (p315): 19.2.2 对H·GIS和PASS的评议
p19-3 (p317): 19.3 选用H·GIS的技术经济分析
p19-4 (p317): 19.4 550kV H·GIS使用示例
p19-5 (p318): 19.5 复合电器的演变
p19-6 (p320): 19.6 电容式复合绝缘母线在GIS/H·GIS开关站的应用
p19-6-1 (p320): 19.6.1 电容式复合绝缘母线的结构
p19-6-2 (p321): 19.6.2 电容式复合绝缘母线的特性
p19-6-3 (p322): 19.6.3 电容式复合绝缘母线与GIS/H·GIS配合使用及意义
p20 (p326): 第20章 SF6气体绝缘输电线GIL设计
p20-1 (p326): 20.1 GIL的特点
p20-2 (p326): 20.2 GIL的应用
p20-3 (p327): 20.3 GIL的基本制造单元及气隔单元设计
p20-4 (p328): 20.4 GIL的热胀冷缩及其调节
p20-5 (p328): 20.5 绝缘介质气压设计
p20-6 (p328): 20.6 GIL母线的电接触及母线支撑
p20-7 (p329): 20.7 GIL的外壳支撑
p20-8 (p331): 20.8 GIL的可拆母线单元设计
p20-9 (p331): 20.9 GIL中金属微粒的影响及预防
p20-10 (p333): 20.10 直流GIL输电的可能性
p21 (p334): 第21章 高压SF6电器的抗震设计
p21-1 (p334): 21.1 地震特性参数
p21-1-1 (p334): 21.1.1 地震烈度
p21-1-2 (p334): 21.1.2 地震频率与地震周期
p21-1-3 (p334): 21.1.3 地震波形
p21-1-4 (p335): 21.1.4 地震加速度
p21-2 (p336): 21.2 产品动力特性参数
p21-2-1 (p336): 21.2.1 产品自振频率fg
p21-2-2 (p336): 21.2.2 振动阻尼与阻尼比ξ
p21-2-3 (p336): 21.2.3 弹性元件的刚度及弹性模量
p21-2-4 (p337): 21.2.4 共振时的加速度(振幅)放大系数β
p21-3 (p339): 21.3 高压电器设备抗震设计
p21-3-1 (p339): 21.3.1 自振频率fg和阻尼比ξ
p21-3-2 (p339): 21.3.2 加速度的放大系数β
p21-3-3 (p340): 21.3.3 强度估算
p21-3-4 (p340): 21.3.4 位移估算
p21-3-5 (p341): 21.3.5 提高高压电器设备抗震能力的措施
p21-4 (p341): 21.4 高压电器设备抗震能力的验证
p21-4-1 (p341): 21.4.1 用计算机进行抗震能力计算
p21-4-2 (p342): 21.4.2 抗地震性能试验
p22 (p344): 第22章 GCB/GIS的典型开断、CT/VT的运行及设计注意事项
p22-1 (p344): 22.1 断路器的典型开断
p22-1-1 (p344): 22.1.1 BTF开断
p22-1-2 (p346): 22.1.2 SLF开断
p22-1-3 (p348): 22.1.3 反相开断
p22-1-4 (p349): 22.1.4 并联开断
p22-1-5 (p350): 22.1.5 空载变压器开断
p22-1-6 (p350): 22.1.6 切合电容器组及空载长线
p22-1-7 (p354): 22.1.7 切电抗器
p22-1-8 (p355): 22.1.8 发展性故障开断
p22-1-9 (p355): 22.1.9 超高压交流滤波器开断
p22-2 (p357): 22.2 GIS—DS的典型切合操作
p22-2-1 (p357): 22.2.1 切合母线转换电流(环流)
p22-2-2 (p359): 22.2.2 切小电容电流
p22-3 (p360): 22.3 GIS—FES的分合操作
p22-3-1 (p360): 22.3.1 FES短路关合
p22-3-2 (p360): 22.3.2 FES切合感应电流
p22-4 (p361): 22.4 电网不同工况对CT的不同要求
p22-4-1 (p361): 22.4.1 测量级绕组
p22-4-2 (p362): 22.4.2 5P及10p稳态保护级绕组
p22-4-3 (p362): 22.4.3 暂态保护用绕组(TP)
p22-4-4 (p362): 22.4.4 10%误差曲线
p22-4-5 (p363): 22.4.5 CT参数要求对CT结构设计的影响
p22-4-6 (p364): 22.4.6 使用CT时注意事项
p22-5 (p365): 22.5 两种电压互感器的特征及运行中应处理好的主要问题
p22-5-1 (p365): 22.5.1 电压互感器的误差
p22-5-2 (p365): 22.5.2 电磁式电压互感器运行时注意事项
p22-5-3 (p366): 22.5.3 电容式电压互感器的特点
p23 (p367): 第23章 计算机辅助设计
p23-1 (p367): 23.1 高压电场数值计算
p23-1-1 (p367): 23.1.1 电场计算方法
p23-1-2 (p367): 23.1.2 LVQB—252 SF6电流互感器三维电场计算
p23-1-3 (p371): 23.1.3 GCB灭弧室电场计算及电场优化设计
p23-2 (p372): 23.2 应力与变形分析
p23-3 (p373): 23.3 抗震计算
p23-4 (p374): 23.4 灭弧室开断能力计算
p24 (p378): 参考文献
p25 (p381): 第1版后记
p1-1 (p1): 1.1 SF6的物理性能
p1-2 (p2): 1.2 SF6的气体状态参数
p1-3 (p3): 1.3 SF6的化学性能
p1-3-1 (p3): 1.3.1 SF6具有良好的热稳定性
p1-3-2 (p4): 1.3.2 SF6电弧分解过程
p1-3-3 (p4): 1.3.3 SF6与开关灭弧室材料的化学反应
p1-3-4 (p4): 1.3.4 水和氧等杂质产生酸性有害物质
p1-3-5 (p5): 1.3.5 SF6电弧分解物中有剧毒的S2 F10吗?
p1-4 (p5): 1.4 SF6的绝缘特性
p1-4-1 (p5): 1.4.1 SF6气体间隙的绝缘特性
p1-4-2 (p11): 1.4.2 SF6中绝缘子的沿面放电特性
p1-4-3 (p13): 1.4.3 减小金属微粒危害的措施
p1-5 (p15): 1.5 SF6气体的熄弧特性
p1-5-1 (p15): 1.5.1 SF6气体特性创造了良好的熄弧条件
p1-5-2 (p17): 1.5.2 SF6中的气流特性
p2 (p20): 第2章 SF6电器的气体管理
p2-1 (p20): 2.1 SF6气体的杂质管理
p2-1-1 (p20): 2.1.1 SF6气体的毒性
p2-1-2 (p20): 2.1.2 生物试验方法
p2-1-3 (p21): 2.1.3 电弧分解气体的毒性及处理
p2-2 (p23): 2.2 SF6气体的湿度管理
p2-2-1 (p23): 2.2.1 水分进入开关的途径
p2-2-2 (p23): 2.2.2 水分对开关性能的影响
p2-2-3 (p25): 2.2.3 温度对SF6湿度测量值的影响
p2-2-4 (p28): 2.2.4 SF6湿度测量值的温度折算
p2-2-5 (p28): 2.2.5 用相对湿度标定湿度限值科学准确
p2-2-6 (p30): 2.2.6 SF6湿度限值
p2-2-7 (p30): 2.2.7 SF6湿度测量方法
p2-2-8 (p31): 2.2.8 SF6湿度控制方法
p2-2-9 (p32): 2.2.9 运行开关的水分处理
p2-3 (p32): 2.3 SF6气体的密封管理
p2-3-1 (p32): 2.3.1 SF6开关设备的密封结构
p2-3-2 (p32): 2.3.2 密封环节的清擦与装配
p2-3-3 (p32): 2.3.3 工程适用的检漏方法(真空监视、肥皂泡监视、充SF6及充He检漏)
p2-3-4 (p37): 2.3.4 SF6密度的监控及误差分析
p2-4 (p41): 附录2.A SF6湿度测量值的温度折算表
p2-5 (p46): 附录2.B 充SF6检漏一个密封环节允许漏气浓度增量ΔC及单点允许漏气率F吸的计算
p2-6 (p48): 附录2.C 充氦检漏允许泄漏率计算
p3 (p49): 第3章 GCB/GIS总体设计
p3-1 (p49): 3.1 设计思想的更新
p3-2 (p49): 3.2 简单就是可靠、简单就是效益
p3-3 (p50): 3.3 GCB/GIS总体设计的核心
p3-4 (p50): 3.4 GCB/GIS总体结构设计要求
p3-4-1 (p50): 3.4.1 GCB灭弧室及操动机构的选择
p3-4-2 (p51): 3.4.2 罐式与瓷柱式GCB的合理分工
p3-4-3 (p51): 3.4.3 高低档参数有机搭配
p3-4-4 (p52): 3.4.4 结构整体化设计
p3-4-5 (p52): 3.4.5 环境因素的影响
p3-5 (p53): 3.5 GCB/GIS可靠性的验证试验
p3-5-1 (p53): 3.5.1 电寿命试验
p3-5-2 (p53): 3.5.2 机械强度试验
p3-5-3 (p53): 3.5.3 高低温环境下的操作试验
p3-5-4 (p53): 3.5.4 耐风沙、暴雨、冰雪及污秽试验
p4 (p54): 第4章 T·GCB/GIS出线套管设计
p4-1 (p54): 4.1 40.5~145kV出线套管内绝缘设计
p4-1-1 (p54): 4.1.1 中心导体设计
p4-1-2 (p55): 4.1.2 允许雷电冲击场强值E1的选择
p4-2 (p56): 4.2 252-363kV出线套管内绝缘设计
p4-3 (p57): 4.3 550~1100kV出线套管内绝缘设计
p4-3-1 (p57): 4.3.1 中间电位内屏蔽的作用
p4-3-2 (p58): 4.3.2 中间电位内屏蔽的设计
p4-3-3 (p59): 4.3.3 中间电位及接地屏蔽设计尺寸的验算
p4-3-4 (p60): 4.3.4 中间屏蔽支持绝缘子设计
p4-4 (p60): 4.4 套管外绝缘设计
p4-4-1 (p60): 4.4.1 瓷件基本尺寸及耐受电压的计算
p4-4-2 (p62): 4.4.2 高海拔、防污秽型瓷套设计
p4-4-3 (p62): 4.4.3 瓷套外屏蔽设计
p4-5 (p64): 4.5 瓷套机械强度设计
p4-5-1 (p64): 4.5.1 瓷套法兰胶装比
p4-5-2 (p64): 4.5.2 瓷质与工艺
p4-5-3 (p65): 4.5.3 瓷套内水压与抗弯强度设计
p4-6 (p66): 4.6 550kV SF6电流互感器支持套管中间电位屏蔽设计实例
p4-6-1 (p66): 4.6.1 中间电位屏蔽尺寸的优化设计
p4-6-2 (p67): 4.6.2 中间电位屏蔽的加工工艺方案设计
p5 (p69): 第5章 硅橡胶复合绝缘子的特点和设计
p5-1 (p69): 5.1 复合绝缘子的特点和应用
p5-2 (p70): 5.2 伞裙材料的选用
p5-3 (p71): 5.3 绝缘子芯体(筒、棒)材料的选择
p5-4 (p72): 5.4 复合绝缘子设计的四点要求
p5-4-1 (p73): 5.4.1 机械强度设计要求
p5-4-2 (p74): 5.4.2 刚度设计要求
p5-4-3 (p74): 5.4.3 电气性能设计要求
p5-4-4 (p75): 5.4.4 胶装及密封设计要求
p5-5 (p76): 5.5 复合绝缘子长期运行的可靠性
p5-5-1 (p76): 5.5.1 绝缘子表面亲(疏)水性与污闪
p5-5-2 (p76): 5.5.2 硅橡胶疏水性的迁移与运行可靠性
p5-5-3 (p76): 5.5.3 HTV硅橡胶的高能硅氧键与运行可靠性
p5-5-4 (p77): 5.5.4 抗电蚀能力与运行可靠性
p5-5-5 (p77): 5.5.5 硅橡胶护套及伞裙组装工艺设计与运行可靠性
p5-5-6 (p78): 5.5.6 水分入侵芯体对复合绝缘子机械强度的影响
p6 (p79): 第6章 SF6电器绝缘结构设计——气体间隙、环氧树脂浇注件、真空浸渍管(筒)件
p6-1 (p79): 6.1 SF6气隙绝缘结构设计
p6-1-1 (p79): 6.1.1 气隙电场设计基准
p6-1-2 (p79): 6.1.2 SF6气隙中电极优化设计
p6-2 (p81): 6.2 环氧树脂浇注件设计
p6-2-1 (p82): 6.2.1 绝缘件电场设计基准
p6-2-2 (p82): 6.2.2 典型的绝缘筒(棒)结构设计
p6-2-3 (p84): 6.2.3 绝缘筒(棒)机械强度设计
p6-2-4 (p86): 6.2.4 盆式绝缘子设计10个要点
p6-2-5 (p96): 6.2.5 盆式绝缘子强度要求
p6-3 (p96): 6.3 真空浸渍环氧玻璃丝管(筒)设计
p6-3-1 (p96): 6.3.1 真空浸渍管(筒)性能
p6-3-2 (p97): 6.3.2 真空浸渍管(筒)绝缘件电气结构设计
p6-3-3 (p99): 6.3.3 真空浸渍管(筒)绝缘件机械强度设计
p7 (p101): 第7章 合闸电阻及并联电容器设计
p7-1 (p101): 7.1 合闸电阻额定参数的选择
p7-1-1 (p101): 7.1.1 电阻值R
p7-1-2 (p102): 7.1.2 电阻投入时间t
p7-1-3 (p102): 7.1.3 电压负荷
p7-1-4 (p102): 7.1.4 电阻两次投入的时差Δt
p7-2 (p102): 7.2 电阻片的特性参数
p7-3 (p103): 7.3 合闸电阻设计计算
p7-3-1 (p103): 7.3.1 设计步骤
p7-3-2 (p103): 7.3.2 计算实例(一)
p7-3-3 (p105): 7.3.3 计算实例(二)
p7-4 (p106): 7.4 合闸电阻的触头及传动装置设计
p7-4-1 (p106): 7.4.1 合闸电阻投切动作原理
p7-4-2 (p107): 7.4.2 电阻片安装方式设计
p7-4-3 (p108): 7.4.3 电阻触头及分合闸速度设计
p7-5 (p110): 7.5 并联电容器设计
p7-5-1 (p110): 7.5.1 并联电容器容量设计(800kV双断口串联T·GCB计算例)
p7-5-2 (p111): 7.5.2 电容元件及电容器参数选择
p7-5-3 (p112): 7.5.3 电容器组的结构设计
p8 (p113): 第8章 GCB/GIS的电接触和温升
p8-1 (p113): 8.1 接触电阻
p8-2 (p114): 8.2 梅花触头设计
p8-2-1 (p114): 8.2.1 动触头设计
p8-2-2 (p114): 8.2.2 触头弹簧圈向心力计算
p8-2-3 (p115): 8.2.3 触片设计
p8-2-4 (p115): 8.2.4 触指电动稳定性设计
p8-2-5 (p116): 8.2.5 触指热稳定性设计
p8-3 (p117): 8.3 自力型触头设计
p8-3-1 (p117): 8.3.1 导电截面及触指数设计
p8-3-2 (p117): 8.3.2 接触压力计算
p8-3-3 (p118): 8.3.3 触头材料及许用变形应力
p8-3-4 (p118): 8.3.4 旋压成形插入式触头(自力型触头的进化)
p8-3-5 (p118): 8.3.5 铜钨触头及其质量控制
p8-4 (p119): 8.4 表带触头的设计与制造工艺
p8-4-1 (p119): 8.4.1 表带触头的特点
p8-4-2 (p119): 8.4.2 表带触头的设计
p8-4-3 (p120): 8.4.3 表带触头的材料、制作工艺及表面处理
p8-4-4 (p120): 8.4.4 电动稳定性与热稳定性核算
p8-5 (p121): 8.5 螺旋弹簧触头设计
p8-5-1 (p121): 8.5.1 螺旋弹簧触头的特点
p8-5-2 (p121): 8.5.2 螺旋弹簧触头及弹簧槽设计
p8-5-3 (p125): 8.5.3 触头通流能力核算
p8-5-4 (p125): 8.5.4 接触压力、接触电阻与热稳定性核算
p8-5-5 (p126): 8.5.5 单圈接触压力的测试值
p8-5-6 (p127): 8.5.6 单圈接触电阻的测试值
p8-5-7 (p128): 8.5.7 弹簧触头焊点强度分析及焊点结构设计
p8-5-8 (p130): 8.5.8 弹簧触头不能用于隔离开关主触头
p8-5-9 (p130): 8.5.9 铜丝线径d0的选择
p8-5-10 (p130): 8.5.10 弹簧触头安放位置的选择
p8-5-11 (p130): 8.5.11 弹簧触头接触电阻的稳定性
p8-5-12 (p132): 8.5.12 弹簧触头的选用和表面处理
p8-6 (p132): 8.6 导体发热与温升计算
p9 (p135): 第9章 GCB灭弧室数学计算模型的设计与估算
p9-1 (p135): 9.1 平均分闸速度υf的设计
p9-2 (p137): 9.2 触头开距ιk及全行程ι0设计
p9-3 (p137): 9.3 喷嘴设计
p9-3-1 (p138): 9.3.1 上游区设计
p9-3-2 (p139): 9.3.2 喉颈部设计
p9-3-3 (p142): 9.3.3 下游区设计
p9-3-4 (p143): 9.3.4 喷嘴材料
p9-4 (p144): 9.4 气缸直径的初步设计
p9-4-1 (p144): 9.4.1 气缸直径Dc与机构操作力F
p9-4-2 (p145): 9.4.2 气缸直径Dc的经验设计值
p9-5 (p146): 9.5 分闸特性及其与喷嘴的配合
p9-5-1 (p146): 9.5.1 分闸初期应有较大的加速度
p9-5-2 (p147): 9.5.2 分闸速度对自能式灭弧室开断性能的影响
p9-5-3 (p147): 9.5.3 分闸后期应有平缓的缓冲特性
p9-5-4 (p147): 9.5.4 分闸特性与喷嘴的配合
p9-5-5 (p147): 9.5.5 调整分、合闸速度特性的方法
p9-6 (p148): 9.6 缓和断口电场的屏蔽设计
p9-7 (p148): 9.7 双气室自能式灭弧室的发展
p9-7-1 (p148): 9.7.1 40.5~145 kV自能式灭弧室逐步完善稳定
p9-7-2 (p149): 9.7.2 触头双动灭弧室的产生
p9-7-3 (p149): 9.7.3 双动双气室灭弧室设计要点
p9-7-4 (p150): 9.7.4 对双气室和单气室灭弧室的评价
p9-8 (p151): 9.8 近似量化类比分析法在灭弧室设计中的应用
p9-8-1 (p151): 9.8.1 252kV、40kA灭弧室开断试验结果分析与改进
p9-8-2 (p154): 9.8.2 252kV、50kA单气室自能式灭弧室的增容设计
p9-8-3 (p155): 9.8.3 800kV灭弧室设计要领
p9-8-4 (p156): 9.8.4 特高压GCB灭弧室设计思路
p9-9 (p158): 9.9 机构操作功及传动系统强度计算
p9-9-1 (p158): 9.9.1 运动件等效质量计算
p9-9-2 (p160): 9.9.2 机构操作功计算
p9-9-3 (p162): 9.9.3 弹簧机构的分、合闸弹簧设计
p9-9-4 (p162): 9.9.4 液压机构储能碟簧设计
p9-9-5 (p165): 9.9.5 开关操作系统强度计算
p10 (p167): 第10章 密封结构设计
p10-1 (p167): 10.1 密封机理
p10-2 (p167): 10.2 影响SF6电器泄漏量的因素
p10-3 (p170): 10.3 O形密封圈和密封槽的设计
p10-3-1 (p170): 10.3.1 O形密封圈直径(外径D)与线径d0的配合
p10-3-2 (p170): 10.3.2 密封圈材质的选用
p10-3-3 (p172): 10.3.3 密封圈表面要求
p10-3-4 (p172): 10.3.4 密封槽尺寸设计
p10-4 (p173): 10.4 SF6动密封设计
p10-4-1 (p173): 10.4.1 转动密封唇形橡胶圈设计
p10-4-2 (p173): 10.4.2 X形动密封圈设计
p10-4-3 (p175): 10.4.3 矩形密封圈直动密封设计
p10-5 (p175): 10.5 密封部位的防水防腐蚀设计
p11 (p178): 第11章 GIS中的DS、ES和母线设计
p11-1 (p178): 11.1 三工位隔离开关的基本结构
p11-2 (p179): 11.2 DS及ES断口开距设计
p11-3 (p180): 11.3 DS断口触头屏蔽设计
p11-4 (p181): 11.4 DS分合闸速度设计
p11-5 (p181): 11.5 1100kV GIS—DS、ES设计的特殊问题
p11-6 (p183): 11.6 快速接地开关设计
p11-7 (p184): 11.7 GIS母线设计
p11-7-1 (p185): 11.7.1 波纹管设计
p11-7-2 (p186): 11.7.2 可拆卸母线外壳设计
p11-7-3 (p186): 11.7.3 绝缘支持件设计
p12 (p188): 第12章 SF6电器壳体设计
p12-1 (p188): 12.1 壳体电气性能要求
p12-2 (p188): 12.2 壳体材质及加工工艺选择
p12-3 (p189): 12.3 壳体电气尺寸设计
p12-4 (p189): 12.4 焊接壳体设计与计算
p12-4-1 (p189): 12.4.1 焊接壳体强度设计因素
p12-4-2 (p190): 12.4.2 焊接壳体壁厚设计
p12-4-3 (p191): 12.4.3 焊接圆筒端盖(法兰)及盖板厚度设计
p12-4-4 (p191): 12.4.4 焊接圆筒端部封头强度设计
p12-4-5 (p191): 12.4.5 焊接结构及焊缝位置设计
p12-5 (p193): 12.5 铸铝壳体设计与计算
p12-5-1 (p193): 12.5.1 铸铝壳体强度设计因素
p12-5-2 (p193): 12.5.2 铸造壳体厚度设计
p12-6 (p195): 12.6 壳体耐电弧烧蚀能力设计
p12-7 (p195): 12.7 壳体加工质量监控设计
p12-7-1 (p195): 12.7.1 壳体强度监控
p12-7-2 (p195): 12.7.2 焊缝气密性监控
p12-7-3 (p195): 12.7.3 铸件壳体气密性监控
p12-8 (p196): 12.8 壳体制造的质量管理
p13 (p197): 第13章 吸附剂及爆破片设计
p13-1 (p197): 13.1 吸附剂设计
p13-1-1 (p197): 13.1.1 F—03吸附剂性能简介
p13-1-2 (p197): 13.1.2 F—03吸附剂活化处理
p13-1-3 (p198): 13.1.3 吸附剂用量设计
p13-2 (p199): 13.2 爆破片设计
p13-2-1 (p199): 13.2.1 爆破片的选型与安装
p13-2-2 (p199): 13.2.2 爆破压力设计
p13-2-3 (p199): 13.2.3 压力泄放口径设计
p14 (p200): 第14章 环温对SF6电器设计的影响
p14-1 (p200): 14.1 日照对SF6电器及户外隔离开关温升的影响
p14-1-1 (p200): 14.1.1 考虑方法
p14-1-2 (p200): 14.1.2 日照温升试验
p14-1-3 (p200): 14.1.3 试验值分析
p14-1-4 (p201): 14.1.4 结论
p14-2 (p202): 14.2 高寒地区产品的设计与应用
p14-2-1 (p202): 14.2.1 降低额定参数使用
p14-2-2 (p203): 14.2.2 开关充SF6+N2混合气体
p14-2-3 (p206): 14.2.3 (SF6+CF4)混合气体的应用
p14-2-4 (p207): 14.2.4 经济实用的低温产品设计方案——加热保温套设计
p14-2-5 (p209): 14.2.5 高寒地区(-40/-50℃)产品的选择
p15 (p210): 第15章 SF6电流互感器绕组设计
p15-1 (p210): 15.1 CT误差及准确级
p15-1-1 (p210): 15.1.1 CT误差的产生
p15-1-2 (p212): 15.1.2 CT准确级
p15-2 (p213): 15.2 影响CT电流误差的因素
p15-2-1 (p213): 15.2.1 一次电流的影响
p15-2-2 (p213): 15.2.2 二次绕组匝数N2的影响
p15-2-3 (p213): 15.2.3 平均磁路长度ιcp的影响
p15-2-4 (p213): 15.2.4 铁心截面积S的影响
p15-2-5 (p213): 15.2.5 铁心材料的影响
p15-2-6 (p214): 15.2.6 二次负荷的影响
p15-2-7 (p214): 15.2.7 绕组阻抗ZcT的影响
p15-3 (p214): 15.3 测量级和保护级绕组设计及误差计算步骤
p15-3-1 (p214): 15.3.1 绕组及铁心内径设计
p15-3-2 (p214): 15.3.2 铁心设计
p15-3-3 (p215): 15.3.3 确定绕组的结构及阻抗
p15-3-4 (p216): 15.3.4 测量级绕组误差计算步骤
p15-3-5 (p217): 15.3.5 稳态保护级(5P、10P)绕组误差计算步骤
p15-4 (p217): 15.4 0.2 级和5P级CT绕组设计及误差计算示例
p15-4-1 (p217): 15.4.1 0.2级、FS5、126kV、2×300/5A、30VA绕组设计及误差计算(第一方案)
p15-4-2 (p219): 15.4.2 0.2级、FS5、126kV、2×300/5A、30VA绕组改进设计及误差计算(第二方案)
p15-4-3 (p220): 15.4.3 252kV、5P25、2×300/5A、50VA绕组设计及误差计算
p15-5 (p222): 15.5 暂态保护特性绕组的基本特性参数
p15-5-1 (p222): 15.5.1 设计暂态保护特性绕组的原始数据
p15-5-2 (p223): 15.5.2 额定二次回路时间常数T2
p15-5-3 (p223): 15.5.3 额定瞬变面积系数Ktf
p15-5-4 (p223): 15.5.4 铁心剩磁系数Ksc
p15-5-5 (p223): 15.5.5 暂态特性CT绕组的分级
p15-6 (p224): 15.6 暂态磁通密度增大系数Ktd与暂态误差ε
p15-6-1 (p224): 15.6.1 CT铁心未饱和时的暂态过程
p15-6-2 (p225): 15.6.2 CT暂态面积系数Kd
p15-6-3 (p226): 15.6.3 暂态误差计算式
p15-7 (p227): 15.7 暂态特性绕组设计计算步骤和计算示例
p15-7-1 (p227): 15.7.1 TPY绕组计算步骤
p15-7-2 (p228): 15.7.2 550kV、1250/1A、10VA、TPY绕组计算示例
p15-7-3 (p230): 15.7.3 550kV、2500/1A、15VA、TPY绕组计算示例
p15-8 (p231): 15.8 铁心饱和及其对暂态绕组工作特性的影响
p15-9 (p232): 15.9 影响CT暂态特性的因素及其改善措施
p15-10 (p234): 15.10 CT罩与CT线圈屏蔽设计
p15-11 (p234): 附录15.A SMC101等合金磁化曲线图
p16 (p242): 第16章 GIS设计标准化
p16-1 (p242): 16.1 GIS设计非标准化的弊病
p16-2 (p242): 16.2 GIS设计标准化的重要意义
p16-3 (p242): 16.3 GIS结构设计标准化
p16-3-1 (p243): 16.3.1 GIS基本元件标准化
p16-3-2 (p243): 16.3.2 GIS基本接线间隔标准化的主要要求
p16-3-3 (p243): 16.3.3 126kV GIS标准化的基本接线间隔
p16-3-4 (p248): 16.3.4 252 kV GIS标准化的基本接线间隔
p16-3-5 (p252): 16.3.5 与各标准间隔对应的GIS主回路联结件及其内导标准化
p16-3-6 (p252): 16.3.6 与各标准间隔对应的辅件标准化
p16-3-7 (p252): 16.3.7 与各标准间隔对应的就地控制柜及气体监控柜的标准化
p16-3-8 (p252): 16.3.8 GIS与电缆接口件标准化
p16-3-9 (p255): 16.3.9 GIS与变压器接口件标准化
p16-4 (p257): 16.4 GIS图样和设计文件的标准化及分类管理
p16-4-1 (p257): 16.4.1 GIS图样的标准化设计及管理
p16-4-2 (p258): 16.4.2 GIS基本间隔气体系统图的标准化设计
p16-4-3 (p258): 16.4.3 GIS基本单元的配套表(MX表)及各种汇总表的标准化
p16-4-4 (p258): 16.4.4 GIS基本间隔的配套表及各种汇总表的标准化
p16-4-5 (p259): 16.4.5 GIS工程设计通知书
p16-4-6 (p259): 16.4.6 GIS通用设计文件的标准化
p17 (p260): 第17章 GIS小型化和智能化设计(在线监测技术及应用)
p17-1 (p260): 17.1 一次元件小型化
p17-2 (p263): 17.2 二次监控智能化的目的与构成
p17-3 (p263): 17.3 开发可靠性高、寿命长的信息传感器
p17-3-1 (p263): 17.3.1 电流传感器
p17-3-2 (p265): 17.3.2 电压传感器
p17-3-3 (p268): 17.3.3 分合位置传感器
p17-3-4 (p268): 17.3.4 分合速度传感器
p17-3-5 (p268): 17.3.5 弹簧储能传感器
p17-3-6 (p269): 17.3.6 SF6气体密度及低湿度传感器
p17-3-7 (p270): 17.3.7 温度、湿度传感器
p17-3-8 (p270): 17.3.8 故障定位传感器
p17-3-9 (p270): 17.3.9 压力传感器
p17-3-10 (p270): 17.3.10 氧化锌避雷器(MOA)泄漏电流传感器
p17-3-11 (p270): 17.3.11 局部放电传感器
p17-4 (p272): 17.4 PISA和光纤传输技术
p17-5 (p272): 17.5 智能化就地控制柜和保护单元
p17-5-1 (p272): 17.5.1 智能化就地控制柜和保护单元的构成
p17-5-2 (p272): 17.5.2 电站二次系统的更新与简化
p17-6 (p273): 17.6 GIS运行状态分析软件及按运行状态维修GIS
p17-6-1 (p273): 17.6.1 GIS运行状态巡检仪
p17-6-2 (p273): 17.6.2 局部放电分析软件
p17-6-3 (p277): 17.6.3 电寿命分析软件(电寿命折算及在线监测技术)
p17-6-4 (p281): 17.6.4 SF6密度及湿度分析软件
p17-7 (p282): 17.7 GCB智能操作
p18 (p284): 第18章 超高频(UHF)局部放电电磁波的辐射、传输与接收
p18-1 (p284): 18.1 超高频(UHF)局部放电电磁波的特征
p18-1-1 (p284): 18.1.1 GIS局部放电电磁波的频率与波长
p18-1-2 (p284): 18.1.2 采用UHF法检测GIS局放的必要性
p18-2 (p284): 18.2 GIS超高频局放电磁波的种类及特征
p18-3 (p285): 18.3 GIS局放电磁波的辐射与传播
p18-3-1 (p285): 18.3.1 电磁波辐射
p18-3-2 (p286): 18.3.2 电磁波发射
p18-3-3 (p286): 18.3.3 GIS中局放电磁波的传播方式
p18-3-4 (p289): 18.3.4 局放电磁波传输的三种工况
p18-3-5 (p291): 18.3.5 GIS中局放电磁波的传输特点
p18-3-6 (p291): 18.3.6 微波传输中的阻抗匹配
p18-4 (p292): 18.4 UHF局放电磁波的接收
p18-4-1 (p292): 18.4.1 局放信号的两种接收方式——电容耦合与电磁感应
p18-4-2 (p294): 18.4.2 接收天线的效率和增益
p18-4-3 (p295): 18.4.3 传感器的相对输出功率
p18-4-4 (p295): 18.4.4 传感器的特性
p18-5 (p297): 18.5 外部干扰的抑制
p18-6 (p298): 18.6 局放源定位
p18-6-1 (p298): 18.6.1 信号幅值定位
p18-6-2 (p298): 18.6.2 信号时差定位
p18-6-3 (p298): 18.6.3 平分面法定位
p18-7 (p299): 18.7 内置式传感器的研究方向
p18-7-1 (p299): 18.7.1 圆盘形电容耦合传感器
p18-7-2 (p301): 18.7.2 偶极天线
p18-8 (p302): 18.8 外置式传感器的研究方向
p18-8-1 (p302): 18.8.1 缝隙传感器的设计
p18-8-2 (p304): 18.8.2 矩形喇叭传感器的设计
p18-8-3 (p305): 18.8.3 平面等角螺旋天线
p18-9 (p306): 18.9 传感器的馈电与阻抗匹配
p18-9-1 (p306): 18.9.1 传感器的馈电
p18-9-2 (p307): 18.9.2 接头
p18-9-3 (p307): 18.9.3 输入阻抗与负载阻抗的匹配
p18-10 (p307): 18.10 超高频法局放诊断系统
p18-11 (p308): 18.11 GIS局放定期检测与全时在线监测
p19 (p309): 第19章 SF6复合电器H·GIS的特点、应用与发展
p19-1 (p309): 19.1 H·GIS及PASS的定义和结构特征
p19-1-1 (p309): 19.1.1 H·GIS
p19-1-2 (p312): 19.1.2 PASS
p19-2 (p315): 19.2 AIS、GIS、H·GIS及PASS的特点分析
p19-2-1 (p315): 19.2.1 结构和功能对比
p19-2-2 (p315): 19.2.2 对H·GIS和PASS的评议
p19-3 (p317): 19.3 选用H·GIS的技术经济分析
p19-4 (p317): 19.4 550kV H·GIS使用示例
p19-5 (p318): 19.5 复合电器的演变
p19-6 (p320): 19.6 电容式复合绝缘母线在GIS/H·GIS开关站的应用
p19-6-1 (p320): 19.6.1 电容式复合绝缘母线的结构
p19-6-2 (p321): 19.6.2 电容式复合绝缘母线的特性
p19-6-3 (p322): 19.6.3 电容式复合绝缘母线与GIS/H·GIS配合使用及意义
p20 (p326): 第20章 SF6气体绝缘输电线GIL设计
p20-1 (p326): 20.1 GIL的特点
p20-2 (p326): 20.2 GIL的应用
p20-3 (p327): 20.3 GIL的基本制造单元及气隔单元设计
p20-4 (p328): 20.4 GIL的热胀冷缩及其调节
p20-5 (p328): 20.5 绝缘介质气压设计
p20-6 (p328): 20.6 GIL母线的电接触及母线支撑
p20-7 (p329): 20.7 GIL的外壳支撑
p20-8 (p331): 20.8 GIL的可拆母线单元设计
p20-9 (p331): 20.9 GIL中金属微粒的影响及预防
p20-10 (p333): 20.10 直流GIL输电的可能性
p21 (p334): 第21章 高压SF6电器的抗震设计
p21-1 (p334): 21.1 地震特性参数
p21-1-1 (p334): 21.1.1 地震烈度
p21-1-2 (p334): 21.1.2 地震频率与地震周期
p21-1-3 (p334): 21.1.3 地震波形
p21-1-4 (p335): 21.1.4 地震加速度
p21-2 (p336): 21.2 产品动力特性参数
p21-2-1 (p336): 21.2.1 产品自振频率fg
p21-2-2 (p336): 21.2.2 振动阻尼与阻尼比ξ
p21-2-3 (p336): 21.2.3 弹性元件的刚度及弹性模量
p21-2-4 (p337): 21.2.4 共振时的加速度(振幅)放大系数β
p21-3 (p339): 21.3 高压电器设备抗震设计
p21-3-1 (p339): 21.3.1 自振频率fg和阻尼比ξ
p21-3-2 (p339): 21.3.2 加速度的放大系数β
p21-3-3 (p340): 21.3.3 强度估算
p21-3-4 (p340): 21.3.4 位移估算
p21-3-5 (p341): 21.3.5 提高高压电器设备抗震能力的措施
p21-4 (p341): 21.4 高压电器设备抗震能力的验证
p21-4-1 (p341): 21.4.1 用计算机进行抗震能力计算
p21-4-2 (p342): 21.4.2 抗地震性能试验
p22 (p344): 第22章 GCB/GIS的典型开断、CT/VT的运行及设计注意事项
p22-1 (p344): 22.1 断路器的典型开断
p22-1-1 (p344): 22.1.1 BTF开断
p22-1-2 (p346): 22.1.2 SLF开断
p22-1-3 (p348): 22.1.3 反相开断
p22-1-4 (p349): 22.1.4 并联开断
p22-1-5 (p350): 22.1.5 空载变压器开断
p22-1-6 (p350): 22.1.6 切合电容器组及空载长线
p22-1-7 (p354): 22.1.7 切电抗器
p22-1-8 (p355): 22.1.8 发展性故障开断
p22-1-9 (p355): 22.1.9 超高压交流滤波器开断
p22-2 (p357): 22.2 GIS—DS的典型切合操作
p22-2-1 (p357): 22.2.1 切合母线转换电流(环流)
p22-2-2 (p359): 22.2.2 切小电容电流
p22-3 (p360): 22.3 GIS—FES的分合操作
p22-3-1 (p360): 22.3.1 FES短路关合
p22-3-2 (p360): 22.3.2 FES切合感应电流
p22-4 (p361): 22.4 电网不同工况对CT的不同要求
p22-4-1 (p361): 22.4.1 测量级绕组
p22-4-2 (p362): 22.4.2 5P及10p稳态保护级绕组
p22-4-3 (p362): 22.4.3 暂态保护用绕组(TP)
p22-4-4 (p362): 22.4.4 10%误差曲线
p22-4-5 (p363): 22.4.5 CT参数要求对CT结构设计的影响
p22-4-6 (p364): 22.4.6 使用CT时注意事项
p22-5 (p365): 22.5 两种电压互感器的特征及运行中应处理好的主要问题
p22-5-1 (p365): 22.5.1 电压互感器的误差
p22-5-2 (p365): 22.5.2 电磁式电压互感器运行时注意事项
p22-5-3 (p366): 22.5.3 电容式电压互感器的特点
p23 (p367): 第23章 计算机辅助设计
p23-1 (p367): 23.1 高压电场数值计算
p23-1-1 (p367): 23.1.1 电场计算方法
p23-1-2 (p367): 23.1.2 LVQB—252 SF6电流互感器三维电场计算
p23-1-3 (p371): 23.1.3 GCB灭弧室电场计算及电场优化设计
p23-2 (p372): 23.2 应力与变形分析
p23-3 (p373): 23.3 抗震计算
p23-4 (p374): 23.4 灭弧室开断能力计算
p24 (p378): 参考文献
p25 (p381): 第1版后记
备用描述
科目
关键字
绉戠洰 (as-gbk-encoding)
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开源日期
2021-06-02
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