В пособии изложено новое широкое направление в науке, технике, техно-логиях в виде комплекса проблем, задач, решений в виде: методов, принципов, эффектов, идей, обуславливающих развитие радиоэлектроники на основе толстых плёнок. Радиоэлектроники, которая способна использоваться в дальнейшем в протяжённом пространстве космоса в качестве релятивистской.
В книге показана возможность физико-технических подходов в преодолении проблем в области создания миниатюрной элементной базы радиоэлектроники, которая имеет технические характеристики, соответствующие прорыву уровня развития радиотехники.
Учебное пособие предназначено для исследователей и разработчиков и может быть полезно широкому кругу научных работников, инженерам-конструкторам, преподавателям, аспирантам, слушателям-студентам.

lgli/200369.pdf

lgrsnf/200369.pdf

zlib/no-category/Подвигалкин В. Я./Элементная база радиоэлектроники на основе наносред_23611761.pdf

Izdatel`stvo LAN`

Russia, Russian Federation

{"isbns":["5811487142","9785811487141"],"publisher":"Лань"}

СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ
ПРЕДИСЛОВИЕ
ВСТУПЛЕНИЕ
Глава 1 ЦЕЛЕВЫЕ АКЦЕНТЫ ПАССИВНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ, ПОДЛЕЖАЩИЕ ИССЛЕДОВАНИЮ
1.1. Резисторы. Общие понятия
1.1.1. Особенности
Краткий анализ техпроцесса и свойства применяемых материалов для резистивных паст
1.2. Конденсаторы электрические. Общие понятия
1.2.1. Особенности
1.3. Эксплуатационные факторы
1.3.1. Технологичность, инвариантность, интегральность
1.3.2. Эксплуатационная надежность
Механические характеристики
Термодинамические характеристики
Электрические характеристики
Восприимчивость к поглощениям
1.3.3. Повышенная температурная нагрузка
1.4. Перспективы развития миниатюрной пассивной элементной базы радиоэлектроники
1.4.1. Освоение технологических приемов получения цепочек в R–C- и C–R-элементах
1.5. Миниатюризация вакуумных приборов высших частот
1.5.1. Исходные решения проблемы миниатюризации конструкции вакуумных приборов высших частот
Катод
Колба вакуумного прибора
Размещение на плате функциональных элементов
1.6. Освоение протяженного пространства космоса
Глава 2 ОБЗОР ВОЗМОЖНОСТЕЙ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В СОЗДАНИИ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ
Введение
2.1. Возможности толстых пленок микроэлектроники в создании элементной базы радиоэлектронных систем
2.1.1. Толстые пленки микроэлектроники в РЭА
2.1.2. Основные характеристики толстопленочной технологии
2.1.3. Краткий анализ технологического процесса и свойства применяемых материалов
Резистивные пасты
Проводниковые пасты
Диэлектрические пасты
Особенности технологического процесса
Оборудование для производства толстопленочных микросборок
Тенденции развития толстопленочной технологии
Обеспечение технологии
2.1.4. Тенденции развития толстых пленок для радиоэлектроники
Глава 3 ПОЛИМЕРНЫЕ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ КОМПОНЕНТНО-ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ИС РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК
3.1. Технологические особенности жидкофазного нанесения металлополимерных толстопленочных покрытий на диэлектрические и полупроводниковые подложки-носители
3.1.1. Механика нанесения покрытий в виде толстых пленок на подстилающую поверхность
3.2. Нанокомпозиты на основе d-металлов в полимерной матрице
3.2.1. Электропроводящие нанокомпозитные среды
3.3. Нанокомпозиты из анодного оксида алюминия
3.4. Нанокомпозит из стеклофазы, модифицированный синтезированными алмазами
3.5. Просветляющие наноструктурные оптические среды для солнечных элементов
Глава 4 ОСНОВЫ ТЕОРИИ АНАЛИТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРНЫХ СРЕД ДЛЯ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК
Вступление
Введение
4.1. Аналитический метод малого возмущающего тела
4.2. Определение характеристик квазистатического поля в полубесконечном цилиндре прямоугольного сечения (аналоге R-, C-элементов микросхем)
Глава 5 ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК С НАНОМЕРНЫМИ СРЕДАМИ
5.1. Получение полимерных нанокомпозитных толстых пленок
5.1.1. Физические эффекты в процессах синтеза и формирования нанокомпозитных сред толстых пленок
5.1.2. Метод интегральности физических эффектов
5.1.3. Метод порогового автоформования
5.1.4. Квантовые точки в толстых пленках с наномерными полимерными средами
5.2. Электрофизические свойства толстых пленок на основе полимерных нанокомпозитов
5.2.1. Термостабильность моделей толстых пленок на основе наномерных сред
5.3. Оптические свойства толстых пленок на основе наночастиц сульфида кадмия в матрице полиэтилена высокого давления
5.3.1. Исследование оптических характеристик композитных сред на основе наночастиц сульфида кадмия, стабилизированных в матрице полиэтилена высокого давления, и серебряных наночастиц в матрице полиметилметакрилата
5.4. Пористые толстые пленки нанокомпозитов
5.5. Нанокомпозитные толстые пленки на основе стеклофазы, модифицированной синтезированными алмазами
Глава 6 ПАССИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
6.1. Проводящие R- и C-элементы толстых пленок радиоэлектроники на основе гетероструктурных сред
6.1.1. Проводящие толстые пленки с наномерными средами
6.1.2. Толстопленочная элементная база микросборок с двойными физическими функциями
Расчетные схемотехнические соотношения толстопленочной R-цепи на основе микросред
Экспериментальные результаты
6.2. Развитие толстопленочной элементной базы интегральных схем
6.3. Толстопленочный резистор микросборок для работы в расширенном температурном интервале
6.4. Создание толстопленочного реверсивного резистора
Глава 7 МИНИАТЮРИЗАЦИЯ УСТРОЙСТВ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ С ПОМОЩЬЮ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК
7.1. Фундаментальный научно-технический предел миниатюризации электровакуумных приборов СВЧ
7.2. Конструкторско-технологическое вмешательство в решение проблемы миниатюризации электровакуумных приборов высших частот
7.2.1. Несущие компоненты микросхем высших частот
Микропрофиль I
Микропрофиль II
7.2.2. Метод вертикально сквозных микропрофилей для миниатюризации устройств радиоэлектроники высших частот
7.2.3. Межслойные переходы объемных интегральных вакуумных микросхем высших частот
7.3. Конструирование замедляющих систем методом вертикально сквозных микропрофилей
7.3.1. Планарные интегральные схемы
7.3.2. Объемные интегральные схемы
7.3.3. Микроблок
7.4. Миниатюризация элементной базы финишных устройств и систем бортовых радиолокационных станций
Глава 8 УЗЕЛ ЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ В МИНИАТЮРНЫХ ВАКУУМНЫХ ПРИБОРАХ ВЫСШИХ ЧАСТОТ
8.1. Особенности эмиссии электронов
8.2. Керн катодного узла
8.2.1. Катодный узел
8.3. Оснащение экспериментальных испытаний устройств вакуумных приборов
Глава 9 ВЫСОКОЭФФЕКТИВНОЕ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ АККУМУЛИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
9.1. Толстопленочные нанокомпозитные покрытия для электропреобразователей солнечной энергии
Основные технические требования на полимерное нанокомпозитное покрытие подстилающей поверхности активного фотоэлемента
Требования к надежности
Требования к технологичности и метрологическому обеспечению использования
Требования безопасности и влияния на окружающую среду
Эстетические и эргономические требования
Порядок контроля и приемки
9.1.1. Комплекс технических требований, предъявляемых к просветляющим нанокомпозитным толстопленочным покрытиям
9.1.2. Высокоэффективные просветляющие оптические нанопокрытия
9.1.3. Экспериментальные исследования эффективности просветляющих оптических покрытий
9.2. Метод глобулярной защиты от слияния наночастиц на глобулах в полимерной матрице перед нанесением просветляющего покрытия на кремниевые подстилающие покрытия
9.3. Высокоэффективные кремниевые фотоэлементы солнечных батарей
9.3.1. Компонентно-элементная база конструкции перспективного фотоэлемента солнечной батареи
9.3.2. Применение вертикально сквозного микропрофиля I
Глава 10 РЕЛЯТИВИСТСКАЯ РАДИОСВЯЗЬ
10.1. Основания проблемы
10.2. Уплотнение информации в радиосвязи
10.3. Ускорители радиоимпульсной информации
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

2022-11-12