MOS 大规模集成电路设计导论 🔍
(英)J.马弗等, (英)马弗(J. Mavor)等著 , 王以铭, 蔡景河译, 马弗, J Mavor, 王以铭, 蔡景河, 马弗等著 , 王以铭, 蔡景河译, 梅弗, 王以铭, 蔡景河 北京:科学出版社, 1990, 1990
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1 (p0-1): 第一章 LSI设计路线 1 (p0-2): 1.1 集成电路工艺介绍 1 (p0-3): 目录 6 (p0-4): 1.2 LSI设计的几种途径 11 (p0-5): 1.3 精细刻蚀技术 15 (p0-6): 1.4 设计人员-用户交互作用 17 (p0-7): 1.5 “用户设计”方法 21 (p0-8): 1.6 全书介绍 22 (p0-9): 参考文献 23 (p0-10): 2.1 MOS晶体管基础 23 (p0-11): 第二章 MOS晶体管理论和倒相电路 26 (p0-12): 2.2 MOS晶体管工作原理 32 (p0-13): 2.3 实际的MOS电容器 36 (p0-14): 2.4 MOS晶体管漏极电流方程 42 (p0-15): 2.5 MOS晶体管饱和条件 46 (p0-16): 2.6 MOS晶体管参数的温度依赖关系 47 (p0-17): 2.7 MOS晶体管小信号参数 49 (p0-18): 2.8 MOS电路介绍 52 (p0-19): 2.9 作负载用的MOS晶体管 57 (p0-20): 2.10 有比倒相器静态分析 63 (p0-21): 2.11 有比倒相器速度计算 72 (p0-22): 2.12 无比倒相器的实现 79 (p0-23): 2.13 传输晶体管 80 (p0-24): 参考文献 81 (p0-25): 第三章 MOS工艺和设计规则 82 (p0-26): 3.1 设计规则 84 (p0-27): 3.2 MOS工艺流程 86 (p0-28): 3.3 硅栅n沟MOS工艺流程 98 (p0-29): 3.4 硅栅CMOS工艺流程 102 (p0-30): 3.5 设计规则的必备特征 103 (p0-31): 3.6 电参数 105 (p0-32): 3.7 等比缩小 111 (p0-33): 参考文献 112 (p0-34): 第四章 MOS逻辑设计 113 (p0-35): 4.1 组合逻辑 125 (p0-36): 4.2 静态逻辑:触发器 130 (p0-37): 4.3 动态逻辑:移位寄存器 136 (p0-38): 4.4 同步时序逻辑 142 (p0-39): 参考文献 143 (p0-40): 5.1 用触发器元件构成的计数器 143 (p0-41): 第五章 MOS电路的设计 151 (p0-42): 5.2 移位寄存计数器 154 (p0-43): 5.3 加法器 161 (p0-44): 5.4 MOS存储器:ROM 164 (p0-45): 5.5 MOS存储器:RAM 170 (p0-46): 5.6 单晶体管RAM单元 175 (p0-47): 参考文献 176 (p0-48): 第六章 系统设计的方式与芯片工程 176 (p0-49): 6.1 设计方式 178 (p0-50): 6.2 用户设计 179 (p0-51): 6.3 用户设计VLSI的分层次设计 182 (p0-52): 6.4 硅电路成型车间 183 (p0-53): 6.5 LSI的用户设计和半用户设计的其它方法 189 (p0-54): 6.6 可测性设计 192 (p0-55): 6.7 划分和冗余 194 (p0-56): 6.8 采用扫描通道的内设测试方案 195 (p0-57): 6.9 符号分析内设测试方案 198 (p0-58): 6.10 测试 200 (p0-59): 6.11 电路封装 202 (p0-60): 6.12 热设计考虑 204 (p0-61): 6.13 栅极输入保护 208 (p0-62): 6.14 输出电路 211 (p0-63): 参考文献 212 (p0-64): 第七章 计算机辅助设计 213 (p0-65): 7.1 综合:绘图的辅助设计 216 (p0-66): 7.2 综合:自动布线 217 (p0-67): 7.3 综合:符号布图系统 220 (p0-68): 7.4 综合:编译法设计版图 223 (p0-69): 7.5 分析:设计规则的校核 225...
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备选作者
(英)J.马弗(著);(英)M.A.杰克(著);(英)P.B.丹尼尔(著);王以铭;蔡景河
备用出版商
Science Press
备用出版商
科学出版社·北京
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China, People's Republic, China
备用版本
Di 1 ban, Bei jing, 1990
元数据中的注释
Bookmarks: p0-1 (p1): 第一章 LSI设计路线
p0-2 (p1): 1.1 集成电路工艺介绍
p0-3 (p1): 目录
p0-4 (p6): 1.2 LSI设计的几种途径
p0-5 (p11): 1.3 精细刻蚀技术
p0-6 (p15): 1.4 设计人员-用户交互作用
p0-7 (p17): 1.5 “用户设计”方法
p0-8 (p21): 1.6 全书介绍
p0-9 (p22): 参考文献
p0-10 (p23): 2.1 MOS晶体管基础
p0-11 (p23): 第二章 MOS晶体管理论和倒相电路
p0-12 (p26): 2.2 MOS晶体管工作原理
p0-13 (p32): 2.3 实际的MOS电容器
p0-14 (p36): 2.4 MOS晶体管漏极电流方程
p0-15 (p42): 2.5 MOS晶体管饱和条件
p0-16 (p46): 2.6 MOS晶体管参数的温度依赖关系
p0-17 (p47): 2.7 MOS晶体管小信号参数
p0-18 (p49): 2.8 MOS电路介绍
p0-19 (p52): 2.9 作负载用的MOS晶体管
p0-20 (p57): 2.10 有比倒相器静态分析
p0-21 (p63): 2.11 有比倒相器速度计算
p0-22 (p72): 2.12 无比倒相器的实现
p0-23 (p79): 2.13 传输晶体管
p0-24 (p80): 参考文献
p0-25 (p81): 第三章 MOS工艺和设计规则
p0-26 (p82): 3.1 设计规则
p0-27 (p84): 3.2 MOS工艺流程
p0-28 (p86): 3.3 硅栅n沟MOS工艺流程
p0-29 (p98): 3.4 硅栅CMOS工艺流程
p0-30 (p102): 3.5 设计规则的必备特征
p0-31 (p103): 3.6 电参数
p0-32 (p105): 3.7 等比缩小
p0-33 (p111): 参考文献
p0-34 (p112): 第四章 MOS逻辑设计
p0-35 (p113): 4.1 组合逻辑
p0-36 (p125): 4.2 静态逻辑:触发器
p0-37 (p130): 4.3 动态逻辑:移位寄存器
p0-38 (p136): 4.4 同步时序逻辑
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p0-40 (p143): 5.1 用触发器元件构成的计数器
p0-41 (p143): 第五章 MOS电路的设计
p0-42 (p151): 5.2 移位寄存计数器
p0-43 (p154): 5.3 加法器
p0-44 (p161): 5.4 MOS存储器:ROM
p0-45 (p164): 5.5 MOS存储器:RAM
p0-46 (p170): 5.6 单晶体管RAM单元
p0-47 (p175): 参考文献
p0-48 (p176): 第六章 系统设计的方式与芯片工程
p0-49 (p176): 6.1 设计方式
p0-50 (p178): 6.2 用户设计
p0-51 (p179): 6.3 用户设计VLSI的分层次设计
p0-52 (p182): 6.4 硅电路成型车间
p0-53 (p183): 6.5 LSI的用户设计和半用户设计的其它方法
p0-54 (p189): 6.6 可测性设计
p0-55 (p192): 6.7 划分和冗余
p0-56 (p194): 6.8 采用扫描通道的内设测试方案
p0-57 (p195): 6.9 符号分析内设测试方案
p0-58 (p198): 6.10 测试
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p0-62 (p208): 6.14 输出电路
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p0-64 (p212): 第七章 计算机辅助设计
p0-65 (p213): 7.1 综合:绘图的辅助设计
p0-66 (p216): 7.2 综合:自动布线
p0-67 (p217): 7.3 综合:符号布图系统
p0-68 (p220): 7.4 综合:编译法设计版图
p0-69 (p223): 7.5 分析:设计规则的校核
p0-70 (p225): 7.6 分析:电路的提取
p0-71 (p226): 7.7 分析:模拟分析
p0-72 (p229): 7.8 小结
p0-73 (p229): 参考文献
p0-74 (p231): 第八章 模拟MOS电路
p0-75 (p232): 8.1 模拟电路用的MOS元件
p0-76 (p243): 8.2 开关电容滤波器介绍
p0-77 (p253): 8.3 数据转换
p0-78 (p265): 参考文献
p0-79 (p266): 附录A 作业举例:四位二进制计数器
p0-80 (p290): 附录B 有关MOS LSI设计的若干习题和答案
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topic: MOS集成电路(学科: 设计) 大规模集成电路(学科: 设计)
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Type: 当代图书
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1. (p1) 第一章 LSI设计路线
1.1. (p1) 1.1集成电路工艺介绍
1.2. (p6) 1.2LSI设计的几种途径
1.3. (p11) 1.3精细刻蚀技术
1.4. (p15) 1.4设计人员-用户交互作用
1.5. (p17) 1.5“用户设计”方法
1.6. (p21) 1.6全书介绍
1.7. (p22) 参考文献
2. (p23) 第二章 MOS晶体管理论和倒相电路
2.1. (p23) 2.1MOS晶体管基础
2.2. (p26) 2.2MOS晶体管工作原理
2.3. (p32) 2.3实际的MOS电容器
2.4. (p36) 2.4MOS晶体管漏极电流方程
2.5. (p42) 2.5MOS晶体管饱和条件
2.6. (p46) 2.6MOS晶体管参数的温度依赖关系
2.7. (p47) 2.7MOS晶体管小信号参数
2.8. (p49) 2.8MOS电路介绍
2.9. (p52) 2.9作负载用的MOS晶体管
2.10. (p57) 2.10有比倒相器静态分析
2.11. (p63) 2.11有比倒相器速度计算
2.12. (p72) 2.12无比倒相器的实现
2.13. (p79) 2.13传输晶体管
2.14. (p80) 参考文献
3. (p81) 第三章 MOS工艺和设计规则
3.1. (p82) 3.1设计规则
3.2. (p84) 3.2MOS工艺流程
3.3. (p86) 3.3硅栅n沟MOS工艺流程
3.4. (p98) 3.4硅栅CMOS工艺流程
3.5. (p102) 3.5设计规则的必备特征
3.6. (p103) 3.6电参数
3.7. (p105) 3.7等比缩小
3.8. (p111) 参考文献
4. (p112) 第四章 MOS逻辑设计
4.1. (p113) 4.1组合逻辑
4.2. (p125) 4.2静态逻辑:触发器
4.3. (p130) 4.3动态逻辑:移位寄存器
4.4. (p136) 4.4同步时序逻辑
4.5. (p142) 参考文献
5. (p143) 第五章 MOS电路的设计
5.1. (p143) 5.1用触发器元件构成的计数器
5.2. (p151) 5.2移位寄存计数器
5.3. (p154) 5.3加法器
5.4. (p161) 5.4MOS存储器:ROM
5.5. (p164) 5.5MOS存储器:RAM
5.6. (p170) 5.6单晶体管RAM单元
5.7. (p175) 参考文献
6. (p176) 第六章 系统设计的方式与芯片工程
6.1. (p176) 6.1设计方式
6.2. (p178) 6.2用户设计
6.3. (p179) 6.3用户设计VLSI的分层次设计
6.4. (p182) 6.4硅电路成型车间
6.5. (p183) 6.5LSI的用户设计和半用户设计的其它方法
6.6. (p189) 6.6可测性设计
6.7. (p192) 6.7划分和冗余
6.8. (p194) 6.8采用扫描通道的内设测试方案
6.9. (p195) 6.9符号分析内设测试方案
6.10. (p198) 6.10测试
6.11. (p200) 6.11电路封装
6.12. (p202) 6.12热设计考虑
6.13. (p204) 6.13栅极输入保护
6.14. (p208) 6.14输出电路
6.15. (p211) 参考文献
7. (p212) 第七章 计算机辅助设计
7.1. (p213) 7.1综合:绘图的辅助设计
7.2. (p216) 7.2综合:自动布线
7.3. (p217) 7.3综合:符号布图系统
7.4. (p220) 7.4综合:编译法设计版图
7.5. (p223) 7.5分析:设计规则的校核
7.6. (p225) 7.6分析:电路的提取
7.7. (p226) 7.7分析:模拟分析
7.8. (p229) 7.8小结
7.9. (p229) 参考文献
8. (p231) 第八章 模拟MOS电路
8.1. (p232) 8.1模拟电路用的MOS元件
8.2. (p243) 8.2开关电容滤波器介绍
8.3. (p253) 8.3数据转换
8.4. (p265) 参考文献
元数据中的注释
theme: MOS集成电路(学科: 设计) 大规模集成电路(学科: 设计)
元数据中的注释
Type: modern
备用描述
Ben shu xi tong di jie shao leMOSda gui mo ji cheng dian lu de she ji yuan li he she ji ji shu, nei rong ce zhong yuNMOSheCMOSgui zha dian lu
开源日期
2024-06-13
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